SnO2-x透明导电薄膜的制备及其导电性能研究

• 作者: 张富春 张志勇 王雪文 邓周虎 闫军锋
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 无机非金属材料 SnO2-x MO-PECVD 透明导电薄膜 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 59-62
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3105字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.07.020

摘要

以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD),在玻璃片上制备了SnO2-x薄膜.并用XRD、AFM等对样品进行分析.结果表明,氧气与四甲基锡(氮气携带)流量比为10:6,衬底温度为150℃,淀积时间为2 h制备的薄膜表面平整,方块电阻大约为36.5 Ω/□,紫外–可见光透射率在90%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志勇	西北大学信息科学与技术学院	98	759	13.0	22.0
2	邓周虎	西北大学信息科学与技术学院	39	330	9.0	16.0
3	张富春	西北大学信息科学与技术学院	13	229	8.0	13.0
4	王雪文	西北大学信息科学与技术学院	45	408	11.0	18.0
5	闫军锋	西北大学信息科学与技术学院	19	119	7.0	10.0