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适用于下一代X波段T／R组件的20W氮化镓（GaN）高功率放大器
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摘要：
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X波段GaN基微波功率放大器的设计
GaN HEMT
功率合成
X波段
功率放大器
一种GaN宽禁带功率放大器的设计
宽禁带半导体
功率放大器
附加效率
GaN
7～8 GHz单片集成高功率氮化镓功率放大器
微波单片集成电路
7～8GHz波段
功率放大器
高效率
基于新一代半导体GaN的高效率功率放大器的研制
GaN
功率匹配
高效率功率放大器
通信系统
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研究主题发展历程
节点文献
高功率放大器
铝镓氮／氮化镓（AlGaN／GaN）
高电子迁移率晶体管（HEMT）
单片微波集成电路
T／R组件
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工程信息
主办单位：
中国电子科技集团公司第十四研究所
信息产业部雷达专业情报网
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
南京1313信箱110分箱
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
2210
总下载数（次）
53
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0
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