基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
推荐文章
45nm CMOS工艺下的低泄漏多米诺电路研究
多米诺逻辑
阈值电压
亚阈值泄漏
栅极氧化层
Perl扩展到JVM的移植
Perl扩展
移植
Java虚拟机
动态链接
电子显微镜样品室低温区由77°K扩展到4.2°K附近的变温装置
低温
变温装置
转变点
冷阱
蒸发率
热导率
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 PVD衬垫扩展到45nm互连
来源期刊 集成电路应用 学科
关键词
年,卷(期) 2007,(9) 所属期刊栏目 成品率管理
研究方向 页码范围 31
页数 1页 分类号
字数 1336字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-2583.2007.09.013
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2007(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
月刊
1674-2583
31-1325/TN
16开
上海宜山路810号
1984
chi
出版文献量(篇)
4823
总下载数(次)
15
论文1v1指导