EA-HFCVD 沉积纳米金刚石膜的光致发光分析

• 作者: 刘健敏 夏义本 徐金勇 王林军 祝雪丰 胡广 黄健
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 光致发光 纳米金刚石膜 电子辅助-热丝化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 529-534
• 页数: 6页
• 分类号: TN873.95
• 字数: 1462字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.007

摘要

采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积出晶粒尺寸为30 nm的均匀金刚石膜.生长过程中,预先加6 A偏流生长1 h,然后在0.8 kPa条件下,无偏流生长3 h.光致发光谱中存在4个发光中心分别位于1.682 eV, 1,564 eV, 1,518 eV和1.512 eV的发光峰.1.682 eV处发光峰源于衬底硅原子掺杂于膜中引起的缺陷;其他发光峰源于金刚石晶格振动声子.光致发光强度越大对应的缺陷密度越大,从而降低了场发射域值电场强度,其关键可能源于金刚石膜电导型晶界.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏义本	上海大学材料科学与工程学院	111	725	13.0	19.0
2	王林军	上海大学材料科学与工程学院	109	441	11.0	14.0
3	胡广	上海大学材料科学与工程学院	5	4	1.0	1.0
4	祝雪丰	上海大学材料科学与工程学院	5	4	1.0	1.0
5	黄健	上海大学材料科学与工程学院	17	28	3.0	4.0
6	徐金勇	上海大学材料科学与工程学院	3	2	1.0	1.0
7	刘健敏	上海大学材料科学与工程学院	22	87	5.0	6.0