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摘要:
以SF6/O2为刻蚀气体, 采用电子回旋共振等离子体反应离子刻蚀(ECR-RIE)方法进行了氟化非晶碳(a-C:F)低介电常数薄膜的等离子体刻蚀技术研究,结果表明,a-C:F薄膜的刻蚀速率取决于薄膜中C-CFx与CFx两类基团刻蚀过程,富C-CFx结构的a-C:F薄膜刻蚀速率在O2含量约20%时达到最大,而富CFx结构的a-C:F薄膜刻蚀速率随O2的增大而减小.AFM分析表明,SF6气体刻蚀a-C:F薄膜可以有效消除薄膜表面的团聚结构.XPS能谱分析表明, SF6气体刻蚀a-C:F薄膜样品化学组分未发生变化, 而O2气体刻蚀后在样品表面形成富C的 a-C:F层.该研究结果为a-C:F应用于超大规模集成电路层间介质工艺奠定了必要的实验基础.
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文献信息
篇名 SF6/O2等离子体刻蚀a-C:F薄膜的研究
来源期刊 微细加工技术 学科 物理学
关键词 a-C∶F 等离子体刻蚀 表面形貌 XPS
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目 薄膜技术
研究方向 页码范围 36-40
页数 5页 分类号 O484.8
字数 3416字 语种 中文
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨银堂 32 202 6.0 13.0
2 吴振宇 2 1 1.0 1.0
3 汪家友 2 1 1.0 1.0
4 柴常春 2 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
a-C∶F
等离子体刻蚀
表面形貌
XPS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微细加工技术
双月刊
1003-8213
43-1140/TN
大16开
湖南省长沙市
1983
chi
出版文献量(篇)
672
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2
总被引数(次)
4940
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