CI(G)S薄膜太阳电池金属预置层的研究

• 作者: 何青 刘芳芳 姜伟龙 孙云 李凤岩 鞠兰
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: CI(G)S薄膜太阳电池 Cu-In-(Ga)预制层 顺序磁控溅射 预热处理
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 57-61
• 页数: 5页
• 分类号: TM615
• 字数: 3500字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.z1.015

摘要

CI(G)S薄膜太阳电池是目前国际光伏界研究开发的热点.本文研究了采用直流磁控顺序溅射制备的Cu-In-(Ga)预制层的材料特性.制备时的工作压强、溅射顺序以及预制层的组分等因素都直接影响着预制层的结构特性,从而影响到硒化成膜后的薄膜质量.为了改善预制层的特性,对预制层样片进行了预热处理.实验表明合适工作压强条件下采用多层结构制备并经过热处理以后所得的预制层样片,表面形貌和合金状况都比较好.