稀磁半导体(Ga1-xFex)As的电子结构,磁性及其稳定性的第一性原理研究

• 作者: 杨致 王清林 罗有华 葛桂贤 赵文杰 闫玉丽 雷雪玲
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀磁半导体 电子结构 磁性 晶格常数
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 805-809
• 页数: 5页
• 分类号: O469
• 字数: 2985字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2007.04.027

摘要

采用基于第一性原理的紧束缚近似线性muffin-tin轨道(TB-LMTO-ASA)的方法,在原子球近似的基础上计算了均匀掺杂的稀磁半导体(Ga1-xFex)As在各掺杂浓度下(x=1,1/2,1/4和1/8)的总能量,由能量最低原理得到其在各稳定点的晶格常数,磁性及相应态密度.计算结果表明了(Ga1-xFex)As的晶格常数随掺杂浓度的增大而减小,在各掺杂浓度下(除x=1)样品都是反铁磁态的,Fe 3d和As 4p之间杂化是引起样品电子结构和磁性变化的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵文杰	河南大学物理与信息光电子学院	15	103	6.0	9.0
2	雷雪玲	河南大学物理与信息光电子学院	10	77	5.0	8.0
3	闫玉丽	河南大学物理与信息光电子学院	19	116	7.0	9.0
4	杨致	河南大学物理与信息光电子学院	14	93	6.0	9.0
5	罗有华	河南大学物理与信息光电子学院	32	189	8.0	11.0
9	葛桂贤	河南大学物理与信息光电子学院	9	60	4.0	7.0
10	王清林	河南大学物理与信息光电子学院	16	78	5.0	8.0