±1.5V 1.37×10-6/℃电流模式CMOS带隙基准源的分析与设计

• 作者: 张志勇 王召 程卫东 赵武
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 曲率补偿 带隙基准源 温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子器件与技术
• 页码范围: 1087-1090
• 页数: 4页
• 分类号: TN402|TN432
• 字数: 2543字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.12.012

摘要

设计了电流模式曲率补偿的CMOS带隙基准源,基本原理是利用两个偏置在不同电流特性下的三极管,得到关于温度的非线性电流,补偿VEB的高阶温度项.用标准的0.6μm CMOSBSIM3v3模型库对该带隙基准源进行了仿真,结果表明在±1.5 V的电源电压下,输出基准电压为-1.418 55 V,-55～125 ℃较宽的温度范围内,输出电压的变化只有0.35 mV,有效温度系数达到1.37×10-6/℃.同时,带隙基准源具有较高的电源抑制比,在2 kHz下达到73 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志勇	西北大学信息科学与技术学院	98	759	13.0	22.0
2	赵武	西北大学信息科学与技术学院	29	269	8.0	15.0
3	程卫东		5	15	2.0	3.0
4	王召	西北大学信息科学与技术学院	2	4	1.0	2.0