ZnO本征半导体的点缺陷机制分析

• 作者: 朱长纯 武明堂 贺永宁
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO半导体 点缺陷化学 电学性质
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 1416-1421
• 页数: 6页
• 分类号: TB43
• 字数: 3957字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.06.047

摘要

本文根据Kroger的氧化物点缺陷拟化学平衡方法对ZnO半导体中主要点缺陷的高温热平衡浓度进行了分析和计算,在此基础上依据快速冷却条件下的缺陷"冻结"特征,揭示了室温下ZnO半导体中的亚稳态缺陷状态和载流子分布特征,从而合理揭示了ZnO晶体中点缺陷态和导电机制的依赖关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯	西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系	215	2372	22.0	41.0
2	贺永宁	西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系	58	265	9.0	12.0
3	武明堂	西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系	7	65	5.0	7.0