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摘要:
文章对0.5μm/40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究.因为高压电路的实际应用,N阱电阻的寄生效应不可忽略,所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要.从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性,并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性.因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础,用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型.此模型适用于各类仿真器,具有一定的通用性.
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内容分析
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文献信息
篇名 高压工艺N阱电阻SPICE模型研究
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 高压N阱电阻 SPICE模型 结型栅场效应管JFET
年,卷(期) 2007,(11) 所属期刊栏目 微电子制造与可靠性
研究方向 页码范围 39-44
页数 6页 分类号 TN405
字数 2564字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1681-1070.2007.11.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李月影 东南大学集成电路学院 1 0 0.0 0.0
2 李冰 东南大学集成电路学院 43 126 6.0 8.0
3 何小东 1 0 0.0 0.0
传播情况
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引文网络
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2007(0)
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研究主题发展历程
节点文献
高压N阱电阻
SPICE模型
结型栅场效应管JFET
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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