ESD应力下n阱扩散电阻的潜在损伤

• 作者: 李斌 石晓峰 罗宏伟
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: n阱扩散电阻 静电放电 潜在损伤
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: TN453
• 字数: 2228字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.09.007

摘要

电阻在静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)保护电路中,起隔离和分压的作用.利用传输线脉冲(Transmission Line Pulsing,TLP)测试系统,在宽度为100 ns的脉冲作用下,研究了n阱扩散电阻在ESD应力下的工作特性.结果表明,n阱扩散电阻在发生初次瞬态击穿(瞬态击穿电压79.0 V,瞬态击穿电流1.97 A)后,由于阳极n+-n结构被破坏,内部结构已经出现潜在损伤,不再具备隔离和分压的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学电子与信息学院	128	542	12.0	17.0