ESD对微波半导体器件损伤的物理机理分析

• 作者: 吴东岩 谭志良
• 来源期刊: 河北科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 半导体器件 损伤 模式 物理机理
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 电工、电子与计算机
• 页码范围: 308-312,349
• 页数: 6页
• 分类号: TN385
• 字数: 6451字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7535/hbkd.2013yx04010

摘要

为了得到电磁脉冲对微波半导体器件的损伤规律,进而研究器件的静电放电损伤机理,首先对半导体器件静电放电的失效模式即明显失效和潜在性失效进行了介绍;其次分析了器件ESD损伤模型;最后通过对器件烧毁的物理机理进行分析,得到器件在静电放电应力下内在损伤原因.在ESD电磁脉冲作用下,器件会产生击穿效应,使内部电流密度、电场强度增大,导致温度升高,最终造成微波半导体器件的烧毁.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭志良	军械工程学院静电与电磁防护研究所	62	313	9.0	15.0
2	吴东岩	军械工程学院静电与电磁防护研究所	3	9	2.0	3.0