微波半导体晶体管静电放电损伤机理

• 作者: 刘进 吴东岩 谭志良
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 微波半导体 晶体管 静电放电 电磁脉冲 损伤机理 敏感端对 双极型硅器件
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容与工程电磁场
• 页码范围: 904-909
• 页数: 6页
• 字数: 3676字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.03.037

摘要

为研究静电放电(ESD)电磁脉冲作用下微波半导体晶体管的最灵敏端对和损伤机理,采用ESD人体模型对目前广泛使用的高频低噪声微波半导体晶体管进行了ESD损伤实验.通过理论分析建立了微波半导体晶体管的ESD电热损伤模型,并通过实验验证了该模型的有效性.结果表明,该类器件对ESD最敏感的端对为集电结;ESD对该类器件的损伤模式主要为过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿.当ESD电压较低时,PN结峰值温度超过铝硅共晶的熔融温度577℃,使器件参数退化并发生潜在性失效;当ESD电压较高时,ESD电流造成器件局部过热,PN结峰值温度超过硅的熔融温度1 415℃,使器件发生击穿烧毁.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘进	军械工程学院静电与电磁防护研究所	56	208	8.0	12.0
2	谭志良	军械工程学院静电与电磁防护研究所	62	313	9.0	15.0
3	吴东岩	军械工程学院静电与电磁防护研究所	3	9	2.0	3.0