微波低噪声硅晶体管的方波电磁脉冲损伤研究

• 作者: 刘尚合 原青云 杨洁 武占成
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 微波低噪声硅晶体管 方波电磁脉冲 敏感端对 灵敏参数 损伤功率 统计分布 损伤机理
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容与工程电磁场
• 页码范围: 111-114,158
• 页数: 5页
• 分类号: O441
• 字数: 3584字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2007.07.026

摘要

为了得到电磁脉冲注入对硅半导体器件的作用效应,对两个批次的同型号微波低噪声硅晶体管进行方波注入试验,得出了此类器件对电磁脉冲的最灵敏端对CB结和最敏感参数VBRCEO、损伤电压值、损伤电流值及损伤功率值.电磁脉冲注入时,通过示波器记录晶体管上的瞬时电压、电流波形并得出器件瞬时功率波形.将器件损伤时出现的二次击穿点的功率平均值作为该器件的损伤功率值,将二次击穿点的延迟时间与对应的损伤功率值作P-T图,得出其拟合曲线方程.根据拟合方程把各延迟时间下的损伤功率换算为1μs脉宽下的功率值,统计其损伤能量基本符合正态分布.经分析,器件方波电磁脉冲注入时的损伤机理为热二次击穿.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武占成	军械工程学院静电与电磁防护研究所	87	567	12.0	18.0
2	刘尚合	军械工程学院静电与电磁防护研究所	203	2590	23.0	39.0
3	原青云	军械工程学院静电与电磁防护研究所	50	325	12.0	15.0
4	杨洁	军械工程学院静电与电磁防护研究所	29	181	9.0	12.0