微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究

• 作者: LIU Shang-he 刘尚合 杨洁 王长河
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 微波低噪声硅晶体管 静电放电 方波电磁脉冲 损伤电压 损伤机理
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 99-102
• 页数: 4页
• 分类号: O441
• 字数: 2881字
• 语种: 中文

摘要

在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲(静电放电和方波电磁脉冲)直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结(发射极-基极),而是CB结(集电极-基极).通过对器件结构与放电过程的分析,分别得出了CB结、EB结的损伤机理:随放电电压的增大,热载流子撞击界面,使流经界面处的少数载流子复合速度增加,少数载流子在界面处及界面附近被复合,从而降低了器件的电流放大系数.而无论从哪个结注入,器件完全失效均是由热二次击穿造成.从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘尚合	军械工程学院静电与电磁防护研究所	203	2590	23.0	39.0
2	杨洁	军械工程学院静电与电磁防护研究所	29	181	9.0	12.0
3	王长河	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	36	4.0	5.0
4	LIU Shang-he	军械工程学院静电与电磁防护研究所	1	19	1.0	1.0