五氧化二钽高K薄膜作为MOSFET绝缘栅研究

• 作者: 张幸福 魏爱香
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子技术 MOSFET栅介质 五氧化二钽 高K 电学特性
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 理论与研究
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TN401
• 字数: 2504字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2007.04.001

摘要

本文综述了MOSFET栅介质的最新研究状况.介绍了Ta2O5高K薄膜材料作为MOSFET栅氧化物在现阶段主要的制备技术和进展.电学性能是今后研究应关注的主要方面.最后展望了其在MOSFET绝缘栅的研究前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏爱香	广东工业大学材料与能源学院	42	197	7.0	11.0
2	张幸福	广东工业大学材料与能源学院	3	30	3.0	3.0