Sol-gel法制备Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜及其性能

• 作者: 于军 于本方 吴庚柱 李美亚 王耘波 裴玲 赵兴中 郭冬云
• 来源期刊: 中国科学E辑
• 学科: 化学
• 关键词: Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜 Sol-gel法 铁电性能 疲劳特性 漏电流
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 7-11
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 1872字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9275.2007.01.002

摘要

采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12 (BLT)薄膜.制备的BLT薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,而且表面平整致密.对700℃退火处理的BLT薄膜进行了铁电性能、疲劳特性和漏电流测试: 在测试电压为10 V时,剩余极化值2Pr大约是18.6 μC/cm2,矫顽电压2Vc大约为4.1 V;经过1×1010次极化反转后,剩余极化值下降了大约10%;漏电流测试显示制备的BLT薄膜具有良好的绝缘性能.室温下,在测试频率1 kHz时,薄膜的介电常数为176,介电损耗为0.046.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中科技大学电子科学与技术系	103	537	11.0	16.0
2	王耘波	华中科技大学电子科学与技术系	68	398	10.0	16.0
3	赵兴中	武汉大学物理科学与技术学院	35	134	6.0	10.0
4	李美亚	武汉大学物理科学与技术学院	29	85	5.0	6.0
5	于本方	武汉大学物理科学与技术学院	4	8	2.0	2.0
6	郭冬云	武汉大学物理科学与技术学院	8	32	4.0	5.0
7	裴玲	武汉大学物理科学与技术学院	2	8	2.0	2.0
8	吴庚柱	武汉大学物理科学与技术学院	3	9	2.0	3.0