Cl2/Ar/BCl3 ICP刻蚀AlGaN的研究

• 作者: 亢勇 朱龙源 李向阳 赵德刚 陈亮 龚海梅
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 感应耦合等离子体 铝镓氮 扫描电镜 俄歇电子能谱
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 传感器理论及工艺
• 页码范围: 7-9
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2|TN405.98
• 字数: 2107字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.07.003

摘要

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用.在对比了ICP与RIE,ECR等干法刻蚀技术优缺点的基础上,采用Ni作为掩膜,Cl2/Ar/BCl3作为刻蚀气体,对金属有机化学气相淀积生长的n-Al0.45Ga0.55N进行了ICP刻蚀研究.刻蚀速率随着ICP直流偏压的增加而增加,刻蚀速率随着ICP功率的增加先增加较快后增加缓慢.最后结合刻蚀表面的扫描电镜(SEM)分析和俄歇电子能谱(AES)深度分析对刻蚀结果进行了讨论.分析表明,在满足刻蚀表面形貌的同时,较低的直流偏压下刻蚀速率较慢,但损伤较小,这对于制备高性能的紫外探测器是有利的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵德刚	中国科学院半导体研究所	42	214	9.0	12.0
2	李向阳		4	6	1.0	2.0
3	龚海梅		11	35	4.0	5.0
4	陈亮		3	8	2.0	2.0
5	亢勇		3	10	2.0	3.0
6	朱龙源		1	4	1.0	1.0