不同基底对掺镧钛酸铅铁电薄膜结晶性能的影响

• 作者: 刘洪 张振宁 朱建国 肖定全 蒲朝辉 龚小刚
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 基底 掺镧钛酸铅 铁电薄膜 制备
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 42-45
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2714字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.01.009

摘要

采用射频磁控溅射技术,使用相同的工艺条件在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0.9,La0.1)TiO3,PLT10]铁电薄膜.采用常规热处理工艺对两种基底上生长的PLT铁电薄膜在相同条件下进行了退火.用原子力显微镜(AFM)观察PLT薄膜的表面形貌.用X射线衍射技术(XRD)研究PLT薄膜结晶性能.XRD图谱表明硅基底上的PLT在晶化后,各主要晶面的衍射峰均出现,取向呈现多样化;而在铂上的PLT在晶化后,只出现了(111)晶面衍射峰和(222)晶面衍射峰,取向是单一的〈111〉方向.通过对XRD的数据计算可知,在相同条件下退火的PLT薄膜,在铂上的PLT的晶粒尺寸大于在硅基底上的PLT的晶粒尺寸.晶粒尺寸的差异反应出了由于基底的影响而造成薄膜晶化过程中成核方式的差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖定全	四川大学材料科学与工程学院	178	2267	24.0	42.0
2	朱建国	四川大学材料科学与工程学院	124	1424	17.0	35.0
3	刘洪	四川大学材料科学与工程学院	57	253	10.0	13.0
4	张振宁	四川大学材料科学与工程学院	4	7	2.0	2.0
5	蒲朝辉	四川大学材料科学与工程学院	4	6	1.0	2.0
6	龚小刚	四川大学材料科学与工程学院	5	10	2.0	3.0