HBT自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿

• 作者: 刘新宇 吴德馨 王显泰 申华军 葛霁 陈延湖
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 自热效应 HBT 镜像电流源偏置电路 功率放大器
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 829-832
• 页数: 4页
• 分类号: TN431
• 字数: 2084字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.026

摘要

研究了GaAs HBT的自热效应对功率放大器镜像电流源偏置电路性能的影响.HBT自热效应使得这种偏置电路的镜像精度和温度特性变差.利用HBT器件特有的集电极电流热电负反馈理论,通过优化基极偏置电阻的方法,对自热效应进行了有效补偿,偏置电路的电流镜像精度得到有效提高,偏置电流温度漂移由9.5%减小到0.5%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
3	葛霁	中国科学院微电子研究所	10	72	5.0	8.0
4	申华军	中国科学院微电子研究所	14	68	5.0	8.0
5	王显泰	中国科学院微电子研究所	13	77	5.0	8.0
6	陈延湖	中国科学院微电子研究所	6	54	5.0	6.0