半导体桥(SCB)冲击片起爆技术研究

• 作者: 杨振英 杨树彬 殷志南 王新才
• 来源期刊: 含能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 应用化学 起爆 半导体桥冲击片 发火能量 半导体芯片
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 131-133
• 页数: 3页
• 分类号: TJ45
• 字数: 1812字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-9941.2007.02.011

摘要

优化设计了硅半导体芯片及桥区参数,并对SCB冲击片起爆HNS-Ⅳ炸药及影响发火能量的因素进行了试验研究.结果表明,致密性好的SCB多晶硅,厚度为4μm时,50%发火能量低,起爆重现性好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨振英		19	152	7.0	11.0
2	杨树彬		9	64	5.0	7.0
3	王新才		4	21	3.0	4.0
4	殷志南		3	12	2.0	3.0