背腐蚀法分离p-n结的研究

• 作者: 刘志刚 姜维 孙铁囤 崔容强 徐秀琴 罗培青 苦史伟
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 背腐蚀 光生电动势 能带
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 165-168
• 页数: 4页
• 分类号: TB611
• 字数: 1630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2007.02.011

摘要

采用正面无保护的背腐蚀方法分离p-n结,用SEM图观察了背腐蚀后硅片表面形貌的变化,对背腐蚀与刻边分离p-n结样品的光生电动势进行了比较,用能带理论对其差别做了深入的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔容强	上海交通大学太阳能研究所	38	544	14.0	22.0
2	徐秀琴	上海交通大学太阳能研究所	7	142	5.0	7.0
3	孙铁囤	上海交通大学太阳能研究所	11	95	5.0	9.0
4	刘志刚	上海交通大学太阳能研究所	14	102	5.0	10.0
5	苦史伟	上海交通大学太阳能研究所	3	11	1.0	3.0
6	姜维	上海交通大学太阳能研究所	6	38	3.0	6.0
7	罗培青	上海交通大学太阳能研究所	3	10	1.0	3.0