多晶硅沉积工艺中中间层对多晶硅质量的影响

• 作者: 吴爱民 徐茵 李伯海 王艳艳 秦福文 顾彪
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜 中间层 ECR-PECVD
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 685-689
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3354字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.05.021

摘要

采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以SiH4和H2为气源,在350 ℃的低温条件下,在普通玻璃衬底上沉积了多晶硅薄膜.主要考察了中间层对多晶硅薄膜沉积质量的影响.实验证明,当中间层的沉积温度为350 ℃,H2流量为20 sccm时,得到多晶硅薄膜晶粒的直径最大,为53 nm;且随着中间层沉积温度的提高,薄膜的结晶度提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦福文	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	40	235	8.0	14.0
2	顾彪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	41	363	12.0	18.0
3	徐茵	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	26	207	8.0	13.0
4	王艳艳	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	5	7	2.0	2.0
5	吴爱民	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	38	263	10.0	15.0
6	李伯海	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	1	3	1.0	1.0