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摘要:
引入了新的正切平方势来描述量子阱中的电子和空穴运动行为.在量子力学框架内,把粒子的Schr(o)dinger方程化为了超几何方程,并用系统参数和超几何函数严格地求解了粒子的本征值和本征函数,并以Ga1-xAlxAs/GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱为例计算了电子和空穴的带内跃迁和带间跃迁.结果表明,电子和空穴在量子阱中的能量是量子化的,而阱内的能级数目和跃迁能量与系统参数有关.于是,可望通过对势阱参数的控制来得到不同光电特性的量子阱材料.
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文献信息
篇名 正切平方势与量子阱的带内跃迁和带间跃迁
来源期刊 半导体光电 学科 物理学
关键词 超晶格 量子阱 超几何方程 单粒子能级
年,卷(期) 2007,(4) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 516-519
页数 4页 分类号 O471.5
字数 2949字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.04.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 罗诗裕 125 600 13.0 17.0
2 邵明珠 109 465 12.0 16.0
3 胡必武 26 104 6.0 9.0
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超几何方程
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半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
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4307
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