GaInNAs/GaAs量子阱结构基态光跃迁的能量

• 作者: Yang Jinghai 刘文彦 张永军 杨丽丽 杨景海 王丹丹 赵庆祥 郎集会
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 光跃迁能量 有效质量近似 分子束外延
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1945-1949
• 页数: 5页
• 分类号: TN248
• 字数: 3203字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.011

摘要

从理论和实验两个方面对GaInNAs/GaAs量子阱结构基态的光跃迁能量进行研究.在理论计算过程中,分别采用电子有效质量近似法和双能级推斥模型计算了GaInNAs合金的电子空穴分立能级的能量及其带隙能,讨论了由应变引起的带隙变化量.将理论计算结果与光致发光的实验结果进行比较,两者符合得很好.并简单分析了N的加入对GaInNAs合金带隙能产生的影响.