GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱

• 作者: 吴荣汉 李联合 梁晓甘 江德生 潘钟 边历峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化物 光致发光 光调制反射 量子阱
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1281-1285
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2846字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.12.009

摘要

研究了GaInNAs/GaAs多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光(PL)谱以及光调制反射(PR)谱.发现PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足Varshni关系,而是呈现出反常的S型温度依赖关系.进一步测量,特别是在较低的激发光功率密度下,发现有两个不同来源的发光峰,它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光.随温度变化,这两个发光峰相对强度发生变化,造成主峰(最强的峰)的位置发生切换,从而导致表观上的S型温度依赖关系.采用一个基于载流子热激发和出空过程的模型来解释氮杂质团簇引起的束缚态发光峰的温度依赖关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江德生	中国科学院半导体研究所半导体超晶格微结构国家重点实验室	14	36	3.0	5.0
2	潘钟	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	6	35	2.0	5.0
3	李联合	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	5	14	2.0	3.0
4	边历峰	中国科学院半导体研究所半导体超晶格微结构国家重点实验室	11	119	7.0	10.0
5	梁晓甘	中国科学院半导体研究所半导体超晶格微结构国家重点实验室	1	0	0.0	0.0