用于SiP的电镀铜通孔填孔技术

• 作者: 丁志廉
• 来源期刊: 印制电路信息
• 学科: 工学
• 关键词: 系统封装 通孔填孔 强抑制剂 含加速剂方案 无加速剂方案 依赖电位吸附 依赖迁移吸附
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: HDI/BUM板
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TG44
• 字数: 3292字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-0096.2007.06.011

摘要

文章介绍了采用不含加速剂的直流电镀方案来实现通孔填孔技术,并提出通孔填孔的可能电化学机理.