MnxGe1-x稀磁半导体薄膜的结构研究

• 作者: 刘文汉 史同飞 叶剑 孙治湖 孙玉 朱三元 潘志云 韦世强
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 XRD XAFS MnxGe1-x稀磁半导体薄膜
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5471-5475
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3931字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.081

摘要

利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%,36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64样品则明显出现Ge3Mn5相的衍射峰,且Ge3Mn5的比例随着Mn的含量升高而增加.XAFS结果表明,对于Mn0.07Ge0.93样品,Mn主要以替代位的形式存在,占75%左右的比例;在Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64的样品中,除了一小部分的Mn原子以替代位的形式存在之外,大部分Mn原子以Ge3Mn5化合物的形式存在.