互连线工艺中铝上窜至VIA的研究

• 作者: 刘恩峰 姜晨 徐锋
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 通孔 铝上窜 氮化钛
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 1580-1582,1586
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.96
• 字数: 2788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.05.014

摘要

讨论一种发生在铝互连线工艺中的较为少见的VIA(通孔)失效现象:淀积VIA氮化钛阻挡层后出现下层铝的上窜.通过对于失效的VIA进行失效分析,我们在VIA孔底部发现了一层变异的金属层.EDS成分分析显示它的主要成分是铝,并包含一些钛化铝的成分.这种VIA失效现象的根本成因是在淀积VIA氮化钛阻挡层时,下面金属层的铝被挤入至VIA孔导致VIA的主要填充成分钨无法顺利填入.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘恩峰	上海交通大学微电子学院	3	7	1.0	2.0
2	姜晨	上海交通大学微电子学院	6	50	3.0	6.0
6	徐锋		1	0	0.0	0.0