III族氮化物半导体材料

• 作者: 孔梅影
• 来源期刊: 国外科技新书评介
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 氮化物 III 光电子器件 INGAN 蓝光激光器 INN 高功率
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 页码范围: 21-22
• 页数: 2页
• 分类号: TN304

摘要

III族氮化物半导体材料（Al，In，Ca）N，（包括GaN、InN、A1N、InGaN、A1GaN和AllnGaN等）是性能优良、适宜制作半导体光电子和电子器件的材料。用这种材料研究发展的高功率、高亮度的蓝一绿一白发光管和蓝光激光器以及其他电子器件和光电子器件近几年来均有很大突破，有的己形成了产业。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔梅影	中国科学院半导体研究所	22	29	3.0	5.0