Si(100)衬底对ZnO纳米线阵列生长方向的控制作用

• 作者: 唐斌 张强 税正伟 邓宏 郝昕
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO纳米线 外延生长 失配度 V-L-S机理
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 125-128
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 字数: 1739字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.03.004

摘要

采用热分解ZnO粉末法,以Au为催化剂,在Si(100)衬底上外延生长了ZnO纳米线阵列.用扫描电子显微镜(SEM)分析表明:ZnO纳米线的直径在100 nm左右,长度约3 μm,与衬底表面的夹角约为70.5°,纳米线具有四个特定的倾斜方向A,B,C,D.X射线衍射(XRD)图谱上只有ZnO(0002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿C轴择优生长.结合Si与ZnO的晶格结构特征,理论研究得出ZnO纳米线与Si基片的晶格匹配关系为:[0001]ZnO//[114]Si,[0001]ZnO//[(--)114]Si,[0001]ZnO//[(-)114]Si,[0001]ZnO//[(-)114]Si,失配度为1.54%.得出了Si(100)衬底对ZnO纳米线生长方向具有控制作用的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐斌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	210	2076	24.0	33.0
5	邓宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	72	653	14.0	22.0
6	税正伟	西南石油大学理学院	21	84	5.0	8.0
7	张强	西南石油大学理学院	53	121	6.0	8.0
8	郝昕	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	20	2.0	4.0