基于数值模拟的扇形分裂漏磁敏场效应晶体管相对灵敏度研究

• 作者: 刘同 朱大中
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: MAGFEY 数值模拟 相对灵敏度 模型
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 1253-1256
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2294字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2007.06.013

摘要

使用二维数值模拟求得了扇形分裂漏磁敏场效应晶体管(MAGFET)的相对灵敏度.通过有限元分析求解约束载流子输运的偏微分方程,描绘出沟道反型层中的静电势分布.磁场中扇形MAGFET的电流偏转量大于相应矩形MAGFET的电流偏转量,因此扇形MAGFET与已报导的矩形MAGFET相比具有灵敏度高的优势.模拟结果表明极长沟道器件的灵敏度几乎不变.所研制的N型沟道分裂漏MAGFET采用0.6 μm标准CMOS工艺制造,实测扇形MAGFET的最高灵敏度为3.77%/T.该数值模拟方法及其计算结果已用于CMOS磁敏传感器芯片的设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱大中	浙江大学微电子与光电子研究所	43	188	8.0	11.0
2	刘同	浙江大学微电子与光电子研究所	2	2	1.0	1.0