集成铁电器件用LaNiO3薄膜电极的结构与电学性能

• 作者: 伍广亨 包定华 梁通 阮凯斌
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: LNO薄膜 化学溶液沉积法 电阻率
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 所属期刊栏目: 光电子器件与系统
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TN384
• 字数: 2368字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2007.z1.012

摘要

采用化学溶液沉积法在(100)Si, SiO2/Si, (100)Al2O3, (100)MgO, (100)SrTiO3(STO), (100)ZrO2等衬底上制备了LaNiO3(LNO)薄膜,研究了热处理温度对薄膜结构和电性能的影响.结果显示,衬底种类影响LNO薄膜的结晶,其中STO衬底上的LNO薄膜呈高a轴择优取向成长,且其电阻率最低,为0.87 mΩ·cm.而对于Si衬底上的LNO薄膜,随着热处理温度升高,晶粒尺寸增大,电阻率降低,在750 ℃时电阻率达到最低值(1.52 mΩ·cm),其后热处理温度的升高导致杂相的形成,电阻率反而上升.扫描电镜观察证实这些LNO薄膜光滑、致密、均匀且无裂纹.结果表明,制得的LNO薄膜可用作集成铁电薄膜器件的底电极.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	伍广亨	中山大学物理科学与工程技术学院	4	9	2.0	2.0
3	阮凯斌	中山大学物理科学与工程技术学院	4	8	2.0	2.0
9	梁通	中山大学物理科学与工程技术学院	1	5	1.0	1.0
13	包定华	中山大学物理科学与工程技术学院	2	5	1.0	2.0