缓冲层生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响

• 作者: 刘国军 张保顺 李林 李美成 熊丽 赵连城 邱永鑫
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 GaSb 缓冲层 生长速率
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 917-920
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 3663字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.06.018

摘要

用分子束外延(MBE)法在GaAs(100)衬底上生长GaSb薄膜,得到了GaSb薄膜的优化生长工艺条件.为了降低因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温(LT)GaSb作为缓冲层,研究了缓冲层的生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响,并以此说明缓冲层在GaSb薄膜生长中所起的作用.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到当低温GaSb缓冲层的生长速率为1.43μm/h时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵连城	哈尔滨工业大学材料学院	107	1153	16.0	29.0
2	李美成	哈尔滨工业大学材料学院	29	200	8.0	13.0
3	刘国军	长春理工大学材料学院	62	303	9.0	14.0
4	邱永鑫	哈尔滨工业大学材料学院	6	28	3.0	5.0
5	李林	长春理工大学材料学院	30	177	8.0	12.0
6	张保顺	长春理工大学材料学院	3	12	2.0	3.0