脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核区位置的确定

• 作者: 傅广生 卢丽芳 王英龙 褚立志
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米Si晶粒 脉冲激光烧蚀 成核区
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3374-3378
• 页数: 5页
• 分类号: O46
• 字数: 3086字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.055

摘要

为了确定纳米Si晶粒气相成核的位置,采用XeCl准分子激光器,在10 Pa氩气环境下,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在距离等离子羽正下方2.0cm处、与其轴线平行放置一系列单晶Si或玻璃衬底,沉积制备了纳米Si薄膜.X射线衍射、Raman散射、扫描电子显微镜和原子力显微镜结果均显示,纳米Si晶粒只在距靶约0.5-2.8 cm平行距离范围内的样品上形成,在此范围内,随着离靶平行距离的增大,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸逐渐减小,并且晶粒尺寸的分布也发生变化.根据成核区起始和终止的突变特征,结合晶粒形成后的平抛运动规律,对晶粒气相成核的位置进行了估算.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	褚立志	河北大学物理科学与技术学院	47	155	7.0	10.0
3	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0
4	卢丽芳	河北大学物理科学与技术学院	4	28	4.0	4.0