外加气流对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的影响

• 作者: 丁学成 傅广生 梁伟华 王英龙 罗青山 褚立志 邓泽超 陈超
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米Si晶粒 脉冲激光烧蚀 环境气体 气流 尺寸分布
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 2199-2202
• 分类号: O484.1
• 字数: 1668字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20102209.2199

摘要

提出一种控制脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的新方法.在10 Pa的Ar环境中,采用脉冲激光烧蚀高阻抗单晶硅靶沉积制备了纳米Si晶薄膜.在羽辉正上方2.0 cm,距靶0.3～3.0 cm范围内的不同位置引入氩气流,在烧蚀点正下方2.0 cm处水平放置单晶Si(111)衬底来收集制备的纳米Si晶粒.利用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,并对衬底不同位置上纳米Si晶粒进行统计.结果表明:在不引入气流时,晶粒的尺寸随靶衬间距的增加先增大后减小,晶粒尺寸峰值出现在距靶1.7 cm处;引入气流后,晶粒尺寸分布发生变化,在距靶1.7 cm引入气流时晶粒尺寸峰值最大,在距靶3.0 cm引入气流时晶粒尺寸峰值最小,且出现晶粒尺寸峰值的位置随着引入气流位置的增加而增大.