多量子阱红外探测器衬底减薄工艺研究

• 作者: 史衍丽 崔碧峰 张蕾 李晓波 沈光地 邓军 马楠
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 多量子阱 红外 衬底减薄 光耦合
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 528-530,534
• 页数: 4页
• 分类号: TN362
• 字数: 1686字
• 语种: 中文

摘要

GaAs衬底减薄是制作GaAs基多量子阱焦平面红外探测阵列器件工艺中重要的一步,对器件的性能有重要的影响.采用手工和机器减薄抛光相结合的方法,成功地将器件厚度从625μm降为29±2μm.在77K下,得到了器件的光响应,并对实验结果进行了分析,讨论了垂直入射引起器件光吸收的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学北京光电子实验室	192	1444	18.0	29.0
2	邓军	北京工业大学北京光电子实验室	57	219	7.0	10.0
3	史衍丽		41	372	8.0	18.0
4	张蕾	北京工业大学北京光电子实验室	43	226	7.0	12.0
5	崔碧峰	北京工业大学北京光电子实验室	51	172	7.0	10.0
6	马楠	北京工业大学北京光电子实验室	8	13	2.0	3.0
7	李晓波	北京工业大学北京光电子实验室	4	6	1.0	2.0