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摘要:
该文用循环伏安法研究了抗坏血酸在以L-半胱氨酸作为修饰剂的自组装金电极表面上的电化学行为,并对实验条件进行了优化.实验结果表明,在pH=4.43的HAc-NaAc缓冲溶液中,在-0.2~0.8V扫描电位范围内,相对裸金电极,抗坏血酸在自组装金电极表面出现一对稳定的氧化还原峰.且该氧化峰的峰电流与抗坏血酸的浓度在1.09×10-6~2.13×10-3 mol/L呈良好的线性关系,检测限为1.0×10-7mol/L.此外,该自组装膜电极还具有一定的抗干扰能力和较好的稳定性与重现性,用该自组装膜金电极对实际样品鲜橙多中抗坏血酸的含量进行测定,结果令人满意.
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文献信息
篇名 L-半胱氨酸自组装金电极测定鲜橙多中抗坏血酸的含量
来源期刊 化学传感器 学科 化学
关键词 抗坏血酸 自组装膜电极 L-半胱氨酸 循环伏安法
年,卷(期) 2008,(3) 所属期刊栏目 研究报告
研究方向 页码范围 53-57
页数 5页 分类号 TP2|O6
字数 2560字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1008-2298.2008.03.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王亚珍 江汉大学化学与环境工程学院 39 144 5.0 10.0
2 郑武 5 9 2.0 3.0
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抗坏血酸
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L-半胱氨酸
循环伏安法
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化学传感器
季刊
1008-2298
32-1406/TP
江苏姜堰市姜堰大道66号姜堰市822信箱
1981
chi
出版文献量(篇)
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2939
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