PZT铁电薄膜的低温原位生长

• 作者: 张景基 王震东 范定寰 赖珍荃 黄奇辉
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 原位生长 射频溅射 钙钛矿相
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 224-226
• 页数: 3页
• 分类号: TB39
• 字数: 2076字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2008.03.016

摘要

在溅射法预制备的LaNiO3/Si基片上,用射频溅射法在较低的衬底温度(235～310℃)和纯Ar气氛中原位生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜.通过优化溅射功率、基片温度等工艺,最后在260℃的较低基片温度上成功制备出具有良好铁电性的PZT薄膜.使用X射线衍射(XRD)测试样品的结构,原子力显微镜观察其表面形貌,TD-88A标准铁电测试系统测试样品(Ar/PZT/LNO结构)的铁电性能.结果表明:(1)溅射功率110W,基片温度260℃时,原位沉积的PZT呈(111)、(200)取向;(2)上述工艺制备的PZT薄膜展现良好的铁电性,在5V测试电压时,其剩余极化为23.1uc/cm2,漏电流密度为1.34×10-4A/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖珍荃	南昌大学物理系	20	139	7.0	10.0
2	王震东	南昌大学物理系	11	46	3.0	6.0
3	黄奇辉	南昌大学物理系	2	15	1.0	2.0
4	张景基	南昌大学物理系	5	12	2.0	3.0
5	范定寰	南昌大学物理系	8	13	2.0	3.0