铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性

• 作者: 孙元平 张书明 杨辉 王莉莉 郑大宇
• 来源期刊: 烟台大学学报（自然科学与工程版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 铟镓氮(InGaN) 光致发光 半高宽度 激活能
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 181-184
• 页数: 4页
• 分类号: O469
• 字数: 2318字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-8820.2008.03.006

摘要

利用光致发光谱研究了不同组分铟镓氮材料的光学特性.发现随着温度升高,2个样品的主峰表现出一种行为:半高宽度(FWHM)增加时,主峰位置红移;半高宽度减少时,主峰位置蓝移.对所得数据进行Arrhenius拟合,比较激活能得出结论:样品B中的非辐射复合中心比样品A中的易被激活;样品B中的载流子逃逸效应比样品A中更为明显.从而解释了2个样品发光效率不同的原因,为样品的改良提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	179	2701	25.0	46.0
2	王莉莉	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	35	511	12.0	22.0
3	孙元平	烟台大学光电信息科学技术学院	12	30	3.0	4.0
4	张书明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	11	20	3.0	4.0
5	郑大宇	烟台大学光电信息科学技术学院	1	0	0.0	0.0