AgGa1-xInxSe2晶体退火改性研究

• 作者: 万书权 何知宇 徐承福 朱世富 朱伟林 赵北君 赵国栋 陈宝军 黄毅
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AgGa1-xInxSe2 红外非线性光学晶体 退火处理 差热分析 红外透过率
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 52-55
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 1891字
• 语种: 中文

摘要

采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭,晶体的红外透过率低,不能直接用于红外非线性光学器件制备.采用TA公司生产的SDTQ-600热分析仪进行DSC-TGA测试,发现其熔点为826.69℃,结晶点为750.86℃,总失重约为3.9217%.采用同成份粉末源包裹晶体,在抽空封结后进行退火处理.退火处理后晶体的红外透过率有明显改善.在4000cm-1～7000cm-1范围内红外透过率由原先低于25%改进到高于40%;在750cm-1～4000cm-1范围的红外透过率由原先低于45%改善到超过50%,在2000cm-1 ～750cm-1区域甚至高达60%.结果表明:采用同成分粉末源包裹,在抽空封结后退火处理能有效提高AgGa1-xInxSe2晶体的红外透过率,改善晶体的光学均匀性,退火后的晶体适合红外非线性光学器件制备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
3	陈宝军	四川大学材料科学系	56	160	7.0	9.0
4	黄毅	四川大学材料科学系	28	74	5.0	6.0
5	何知宇	四川大学材料科学系	69	221	8.0	11.0
6	赵国栋	四川大学材料科学系	10	50	3.0	7.0
7	朱伟林	四川大学材料科学系	4	9	2.0	2.0
8	徐承福	四川大学材料科学系	4	9	2.0	2.0
9	万书权	四川大学材料科学系	6	10	2.0	2.0