氢钝化对硅纳米晶发光强度的影响

• 作者: 刘尧平 唐莹 王永生 王申伟 苏梦蟾 衣立新 陈恩光
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 物理学
• 关键词: 超晶格 硅纳米晶 氢钝化
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 246-248
• 页数: 3页
• 分类号: O472
• 字数: 1929字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593.2008.02.002

摘要

通过热蒸发方法在单晶硅衬底上沉积了SiO/SiO2超晶格样品,在氮气保护下对样品进行高温退火,得到硅纳米晶/SiO2超晶格结构.随后将该结构样品分别注入3.0×1014和3.0×1015 cm-2两种剂量的H+.通过对样品的光致发光光谱的分析发现,H+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降;二次退火后的样品,随着退火温度的升高,发光强度逐渐增强;注入足够剂量的H+,其发光强度可以远远超过未注入时的发光强度.研究表明,样品发光强度的变化取决于样品内部缺陷面密度的改变,而缺陷面密度是由氢离子的注入剂量和注入后再退火的温度等因素决定的.