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摘要:
利用商业化的1.2μm标准CMOS生产流水线,配合无掩模体硅各向异性腐蚀工艺,制造了一种热电堆型真空传感器,器件敏感部分尺寸为124μm×100μm,由5层薄膜组成,最大厚度为3.2 μm.采用一种简化方式时传感器建立有限元模型.新模型一方面忽略了气体对流和热辐射的传热作用,另一方面将各层介质和热电堆结构层分别进行了合并.模型具有简单的断面结构,网格划分容易,收敛速度快.运用ANSYS软件对模型进行了电-热、热-电耦合场分析,直接得到了1.5 V加热电压驱动时不同压强下的热电堆输出电压,并与0.1~200 Pa之间的测试结果进行比较.结果表明,采用简化建模方式的计算结果与测试结果之间的偏差小于6%.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 硅基热电堆真空传感器的耦合场分析
来源期刊 纳米技术与精密工程 学科 工学
关键词 真空传感器 热电堆 有限元分析 ANSYS
年,卷(期) 2008,(5) 所属期刊栏目 微机电系统
研究方向 页码范围 336-342
页数 7页 分类号 TP212
字数 4832字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-6030.2008.05.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 梁平治 中国科学院上海技术物理研究所 28 252 9.0 15.0
2 程正喜 中国科学院上海技术物理研究所 9 21 3.0 4.0
3 马斌 中国科学院上海技术物理研究所 22 129 7.0 10.0
4 陈世军 中国科学院上海技术物理研究所 20 98 5.0 8.0
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研究主题发展历程
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期刊影响力
纳米技术与精密工程(英文)
季刊
1672-6030
12-1458/03
天津市南开区卫津路92号
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