CMOS数字集成电路I/O单元设计分析

• 作者: 代永平 刘艳艳 孙钟林 耿卫东
• 来源期刊: 南开大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: I/O库 双向输入/输出 芯核 焊点 CMOS
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 18-22
• 页数: 5页
• 分类号: TN710.2
• 语种: 中文

摘要

按使用时焊点(PAD)排列方式的不同,CMC)S I/O库可分为两大类:直排式(inline)和交错式(staggered).以双向输入/输出单元为例详细介绍了一般CMOS I/O单元的主要组成部分及设计分析.其主要电路组成部分包括输出电平转换,输入/输出驱动以及静电保护,在工作频率要求较高时还应设计电源噪声抑制模块.电路设计配合一定工艺的spice模型进行仿真,根据仿真结果判断设计正确与否并进行优化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	代永平		74	390	12.0	16.0
2	孙钟林		45	304	11.0	15.0
3	耿卫东		56	345	11.0	16.0
4	刘艳艳		25	52	4.0	6.0