等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究

• 作者: 左安友 朱永丹 李兴鳌 杨建平 袁作彬
• 来源期刊: 湖北民族学院学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 集成电路制造 等离子体蚀刻 蚀刺率 选择比
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 179-182
• 页数: 4页
• 分类号: O593
• 字数: 2105字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-8423.2008.02.017

摘要

等离子体蚀刻硅深沟道用作存贮器件的储存电容有非常重要的作用,就等离子体在微电子制造领域中蚀刻二氧化硅,多晶硅的原理和如何控制形状(profile)和深沟道的深度做了研究,解释了HBr,NF3,He_30%O2气体,压力对蚀刻速率,Si/SiO2蚀刻选择比的影响.结果表明:蚀刻率随HBr流量的增大而增大,压力和侧壁保护气体He_30%O2控制着整个蚀刻图形.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建平	湖北民族学院理学院	27	66	4.0	7.0
2	左安友	湖北民族学院理学院	56	153	6.0	8.0
3	李兴鳌	湖北民族学院信息工程学院	32	94	5.0	8.0
7	袁作彬	湖北民族学院理学院	29	93	5.0	8.0
8	朱永丹	湖北民族学院信息工程学院	14	12	2.0	2.0