离子辅助制备碳化硅改性薄膜

• 作者: 宋琦 王彤彤 王笑夷 申振峰 范镝 郑宣鸣 陈红 高劲松
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 反应烧结碳化硅 表面改性 离子辅助沉积 霍尔源 表面散射系数
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 381-385
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1|TN304.2
• 字数: 2461字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2008.03.002

摘要

介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果.对样品进行了表面散射及反射的测量.通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下结构趋于疏松.在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后,表面散射系数减小到1.46%,反射率接近抛光良好的微晶玻璃.温度冲击实验和表面拉力实验表明:硅膜无龟裂和脱落,性质稳定,与碳化硅基底结合良好.