钝化处理在消除多晶Si薄膜缺陷中的应用

• 作者: 张雷 彭英才 王侠 马蕾
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 钝化处理 光伏特性 晶粒间界 缺陷
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 423-427
• 页数: 5页
• 分类号: O77|TN304.12
• 字数: 4507字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.07.011

摘要

介绍了消除多晶Si太阳电池薄膜中缺陷的各种钝化方法,主要包括利用氢等离子体、SiNx:H薄膜、Se单原子层、二元(Al2O3)x(TiO2)1-x合金、SiO2/Si/SiO2量子阱以及湿法化学反应所实现的对缺陷进行有效钝化处理等方法;基于本研究领域的最新进展,对各种方法的优缺点进行了分析归纳.指出H钝化可获得较好的钝化效果,但在后续热处理过程中,Si-H键会由于温度过高而断裂,致使氢离子离开表面而使钝化效果变差;SiNx:H氮化物薄膜可以有效阻挡氢的外扩散,保持钝化效果的稳定性,还可以起到对光的减反射作用.研制具有较低的光反射率、非平衡载流子的高收集效率以及低界面态密度的薄膜和提高薄膜的机械强度是当前科学工作者应该关注的课题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马蕾	河北大学电子信息工程学院	43	157	8.0	10.0
2	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0
3	张雷	河北大学电子信息工程学院	27	33	3.0	4.0
4	王侠	河北大学电子信息工程学院	7	20	3.0	4.0