SRAM数据残留现象的机理分析

• 作者: 张小波 杨雪莹 焦慧芳 贾新章 钟征宇
• 来源期刊: 电路与系统学报
• 学科: 工学
• 关键词: SRAM 数据残留 低温 载流子复合 热载流子效应
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TN43.06
• 字数: 3589字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-0249.2008.03.008

摘要

通过实验进行了SRAM数据残留机理的研究,建立了数据残留时间与温度的关系.确定了低温下非平衡载流子复合率及扩散速度的降低,是导致SRAM断电后数据残留的主要原因.同时进行了SRAM电参数与数据残留的相关性分析,排除了实验条件下热载流子效应对数据残留特性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾新章	西安电子科技大学微电子学院	63	572	14.0	20.0
2	张小波	西安电子科技大学微电子学院	7	81	5.0	7.0