选择性BF2+离子注入对提高DRAM刷新时间的研究

• 作者: 吴萍 外山弘毅 彭坤 林大成 王飚
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 动态随机存储器 刷新时间 漏电流
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 离子束技术
• 页码范围: 1-4,15
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 1625字
• 语种: 中文

摘要

动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)电容器在存储高电位数据"1"时,将影响邻近记忆单元区晶体管栅极电场分布,从而导致漏电流增加,降低了刷新时间.研究提出针对位元线接触区、有选择性的浅掺杂漏极离子注入BF2+方案来改善刷新时间,模拟分析了其注入离子分布及电迁移,发现在位元线接触区硅基单侧浅表层形成了富硼离子注入区,且最大电迁移深度仅为60 nm,由此减少了对其它掺杂区的影响.电性测试结果表明,BF2+离子剂量与开启电压成正比,重复实验证明,该方案有良好的可再现性;分析结果表明,增加BF2+离子注入剂量能提高开启电压对制造偏差的容差能力;栅极关键尺寸在(90±15)nm波动范围内晶圆样品的NMOS电性测试结果表明,该离子注入法能保持与原有工艺的良好匹配性.进一步的分析结果指出,若开启电压升高,则刷新时间将会减少,若开启电压为0.8 V时,该离子注入方案能使刷新时间从180ms提升到不小于300ms.改良幅度达66.7%.模拟及实验分析结果表明,该离子注入方案能应用于深微米进程的研究与生产中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭坤	昆明理工大学机电学院	6	52	2.0	6.0
4	王飚	昆明理工大学机电学院	26	164	7.0	12.0
11	林大成		1	0	0.0	0.0
12	吴萍		1	0	0.0	0.0