硅热蒸发法制备SiC纳米线及其结构表征

• 作者: 吴仁兵 吴玲玲 杨光义 林晶 潘颐 翟蕊 陈建军
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 简单加热法 SiC纳米线 气-固-液机制
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 485-488,533
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 3744字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2008.03.024

摘要

采用简单热蒸发法使硅蒸气和碳纳米管反应生成了碳化硅纳米线.反应产物首先经X射线衍射(XRD)确定为3C-SiC.再用场发射扫描电镜(FESEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等进行形貌和结构研究,发现3C-SiC纳米线部分呈直线六棱柱形状,大多为3C-SiC单晶,其[111]方向与纳米线长度方向一致,间或有折线,弯曲和螺旋形.在这些结果的基础上,提出3C-SiC纳米线形核生长的气液固(VLS)机制:硅蒸气(V)溶于碳纳米管端部残留金属催化剂液滴(L),与碳纳米管反应(S),生成3C-SiC晶核并沿碳纳米管长度方向生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈建军	浙江大学材料科学与工程学系	186	4348	31.0	64.0
2	潘颐	浙江大学材料科学与工程学系	32	408	12.0	19.0
3	杨光义	浙江大学材料科学与工程学系	8	66	5.0	8.0
4	吴玲玲	浙江大学材料科学与工程学系	29	201	8.0	13.0
5	吴仁兵	浙江大学材料科学与工程学系	6	35	3.0	5.0
6	林晶	浙江大学材料科学与工程学系	5	42	4.0	5.0
7	翟蕊	浙江大学材料科学与工程学系	4	34	3.0	4.0